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參數資料
型號: FQAF22N30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述: 16 A, 300 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3PF, 3 PIN
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 736K
代理商: FQAF22N30
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相關PDF資料
PDF描述
FQAF22P10 100V P-Channel MOSFET
FQAF27N25 250V N-CHANNEL MOSFET
FQAF28N15 150V N-Channel MOSFET
FQAF33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQAF33N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQAF22P10 功能描述:MOSFET P-CH/100V/16.6A/0.125OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF26N30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR
FQAF27N25 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQAF28N15 功能描述:MOSFET N-CH/250V/21.5A/0.085OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF33N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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