型號: | FQAF6N70 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 700V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 4.74 A, 700 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | TO-3PF, 3 PIN |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 745K |
代理商: | FQAF6N70 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQAF6N90 | 900V N-Channel MOSFET |
FQAF6N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQAF70N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
FQAF70N10 | CAP 68PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
FQAF70N15 | 150V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FQAF6N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF6N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF70N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF70N10 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF70N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |