- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375884 > FQB12P10 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100V P-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQB12P10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11.5 A, 100 V, 0.29 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | FQB12P10 |
70
#-
70
30
//8
/9
//8
.
70
30
/4
:/4
33
30
)
7
70
-0
-0
300
33
300
33
30
300
33
-0
30
3
7
3
#01&$
"!#01&$
2$3"!#01&$
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB12P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQI12N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQI12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQI12P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強型MOSFET) |
| FQI12P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB12P10M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQB12P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB12P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQB12P20_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQB12P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。