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參數(shù)資料
型號: FQB14N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 14.4 A, 150 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 788K
代理商: FQB14N15
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相關PDF資料
PDF描述
FQB14N30 300V N-Channel MOSFET
FQI14N30 300V N-Channel MOSFET
FQI16N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI17N08L 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQI17P10 100V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB14N15TM 功能描述:MOSFET N-CH/150V/14.4A/0.21OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB14N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB14N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB15P12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V P-Channel MOSFET
FQB15P12TM 功能描述:MOSFET 120V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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