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參數(shù)資料
型號(hào): FQB30N06L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 32 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 779K
代理商: FQB30N06L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQB32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQI32N20C 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB30N06LTM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB30N06TM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB32N12V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET
FQB32N12V2TM 功能描述:MOSFET 120V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB32N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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