| 型號： | FQB34N20LTM |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 31A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫歐 @ 15.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝： | D²PAK |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FQB34N20LTMDKR |