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參數資料
| 型號： | FQB46N15 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 45.6 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 769K |
| 代理商： | FQB46N15 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI46N15 | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQB47P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQI47P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQB4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
| FQB4N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB46N15TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB46N15TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB47P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQB47P06TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB47P06TM"AM002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P |
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