欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQB4N25
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述: 3.6 A, 250 V, 1.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 729K
代理商: FQB4N25
QFET
! "
# !
! !
$ !
% & '()*+,-
% 234 &5
% 234 65
%
% /++7!
% 8!!$"
./ 0*
1,
./+,
! "
!
!
!
"
"
,
,
)*+
,
8
3
.)*95
& '
(
3
./++95
) &
(
8
:
/4 4
±
&+
(
,
;,
,
<
:(!<
*)
=
8
(!
& '
(
<
-!(!<
* )
=
!$
:>-!!$
:3
* *
,$
:
.)*95
& /&
@
:3
.)*95
*)
@
"!)*9
+ 4)
@$9
-
**A/*+
9
B
/$6 *
&++
9
-
θ
-
θ
-
θ
-=
) 4
9
@
-=("
4+
9
@
-=("
') *
9
@
相關PDF資料
PDF描述
FQI4N25 250V N-Channel MOSFET
FQB4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET)
FQI4N50 500V N-Channel MOSFET
FQB4N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET)
FQI4N60 600V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQB4N25TM 功能描述:MOSFET N-CH/250V/3.6A/1.75OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQB4N50TM 功能描述:MOSFET N-CH/500V/3.4A/2.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB4N60TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 紫阳县| 陵水| 东山县| 门头沟区| 左贡县| 山丹县| 南丹县| 正安县| 阳信县| 崇州市| 宣城市| 汽车| 桃源县| 贡山| 英吉沙县| 静宁县| 平泉县| 屏南县| 丰台区| 临汾市| 泌阳县| 永康市| 湘阴县| 九江市| 黑龙江省| 赤峰市| 永福县| 龙门县| 大宁县| 合阳县| 巴马| 柞水县| 崇阳县| 水富县| 靖宇县| 潍坊市| 准格尔旗| 云林县| 新和县| 静乐县| 福海县|