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參數(shù)資料
型號: FQB5N20L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
中文描述: 4.5 A, 200 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 579K
代理商: FQB5N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
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±
0.20
2
±
0
1
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0.50
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2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關PDF資料
PDF描述
FQB5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQI5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQB5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQI5N40 400V N-Channel MOSFET
FQB5N50C 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB5N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N20TM 功能描述:MOSFET N-CH/200V/4.5A/1.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB5N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
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