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參數(shù)資料
型號: FQB5N30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述: 5.4 A, 300 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大小: 770K
代理商: FQB5N30
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI5N40 400V N-Channel MOSFET
FQB5N50C 500V N-Channel MOSFET
FQI5N50C 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB5N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQB5N40TM 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQB5N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
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