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參數資料
型號: FQB6N60C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 5.5 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 680K
代理商: FQB6N60C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQI6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQB6N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET)
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相關代理商/技術參數
參數描述
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