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參數資料
| 型號： | FQB6N70 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 700V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 6.2 A, 700 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 778K |
| 代理商： | FQB6N70 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
| FQB70N10 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FQI70N10 | CAP 180PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQB70N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQB7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQB6N70TM | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB6N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQB6N80TM | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB6N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQB6N90TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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