- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄375880 > FQB7N40 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQB7N40 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | 7 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 777K |
| 代理商： | FQB7N40 |
QFET
! "
# !
! !
"""
$ %&'(()*
$ /0.1 23
$ /0.43
$
$ .((5!
$ 6!!7"
+( ,
-)
+.()
! "
!
!
!
"
"
)
)
'((
)
6
0
+8293
%
&
0
+.((93
' '
&
6
:
8,
±
4(
&
)
;)
)
<
:&!<
41(
=
6
&!
% (
&
<
*!&!<
> ,
=
!7
:*!!7
:0
' 2
)7
:
+8293@
4 .4
A
:0
+8293
>,
A
"!829
( %,
A79
*
22B.2(
9
C
.7, 2
4((
9
*
θ
*
θ
*
θ
*=
. 8,
9
A
*=&"@
'(
9
A
*=&"
18 2
9
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI7N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQB7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQI7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQB7N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQI7N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB7N40TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQB7N60TM | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N60TM_WS | 功能描述:MOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N60TMWS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 ?? |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。