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參數資料
型號: FQB7N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 7.4 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 591K
代理商: FQB7N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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