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參數(shù)資料
型號: FQB9N25C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 8.8 A, 250 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大?。?/td> 869K
代理商: FQB9N25C
Rev. A, March 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
V
DS
= 200V
Note : I
D
= 8.8A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
10
20
30
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI9N25C 250V N-Channel MOSFET
FQB9N25 250V N-Channel MOSFET
FQI9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
FQB9P25 250V P-Channel MOSFET
FQBI9N50 500v N CHANNEL MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB9N25CTM 功能描述:MOSFET NCH/250V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB9N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQB9N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
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