欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): FQD10N20L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 200V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述: 7.6 A, 200 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 787K
代理商: FQD10N20L
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD11P06 60V P-Channel MOSFET
FQU11P06 60V P-Channel MOSFET
FQD12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD10N20L_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET
FQD10N20LTF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD10N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD10N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD10N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 张家川| 东莞市| 五河县| 景泰县| 额尔古纳市| 礼泉县| 泰顺县| 大城县| 马公市| 凌海市| 格尔木市| 永清县| 女性| 新乡县| 宽城| 芷江| 天门市| 武鸣县| 墨竹工卡县| 南昌市| 古蔺县| 尉氏县| 九寨沟县| 鹿邑县| 海南省| 新乡市| 吴忠市| 大冶市| 镇坪县| 徐闻县| 宁明县| 称多县| 金寨县| 明溪县| 茶陵县| 镇平县| 漳平市| 晋城| 石柱| 万源市| 垣曲县|