- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375892 > FQD12N20 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQD12N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | FQD12N20 |
! " #$
%
&
'
!
!"
μ
μ
%&'('(')&
'*''+,-
./'(0
1
)
#
#"
!
()*$$"&+
',)*$$
#$
-.!
#$
/
#$
''##$
"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQU2N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD2N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQD2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD12N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD12N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD12N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD12N20LTM_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD12N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。