| 型號： | FQD13N06LTM |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 11A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫歐 @ 5.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝： | TO-252-3 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | FQD13N06LTMDKR |