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參數資料
| 型號： | FQD1N50B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1.1 A, 500 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | FQD1N50B |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
※
Notes : I
D
= 1.4 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
-2
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
I
D
, Drain Current [A]
1.5
2.0
2.5
3.0
0
4
8
12
16
20
24
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics.
Figure 6. Gate -Charge Characteristics.
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 2. Transfer Characteristics.
Figure 1. On-Region Characteristics.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD1N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQU1N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQU1N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD1N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD1N50TM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD1N60 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| FQD1N60 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| FQD1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
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