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參數資料

型號：	FQD20N06L
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類：	JFETs
英文描述：	60V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述：	17.2 A, 60 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝：	DPAK-3
文件頁數：	6/9頁
文件大小：	664K
代理商：	FQD20N06L

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1. May 2001

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

Driver

as DUT

controlled by pulse period

10V

( Driver )

( DUT )

Forward Voltage Drop

, Body Diode Forward Current

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

di/dt

D =

Gate Pulse Period

-Gate Pulse Width

Same Type

dv/dt controlled by R

Body Diode

相關代理商/技術參數	參數描述
FQD20N06LE	制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD20N06LETF	功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD20N06LETM	功能描述:MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD20N06LTF	功能描述:MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD20N06LTM	功能描述:MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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