- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375881 > FQD26N03L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQD26N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 19 A, 30 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 785K |
| 代理商： | FQD26N03L |
QFET
! "
# !
! !
!
$
!
""
% &'()*+,
% 123 *4
% 125*4
%
% &**6!
% 7!!$"
-* *./
0+
-&*+
!!"!"
+
+
)*
+
7
2
-8/94
&'
(
2
-&**94
&8
(
7
:
;5
±
8*
(
+
<+
+
=
:(!=
&/*
>
7
(!
&'
(
=
,!(!=
) &
>
!$
:,!!$
:2
; *
+$
:
-8/94@
8 /
A
:2
-8/94
)&
A
"!8/9
* 8/
A$9
,
//B&/*
9
C
&$3 /
)**
9
,
θ
,
θ
,
θ
,>
. *)
9
A
,>("@
/*
9
A
,>("
&&*
9
A
! "
!
!
!
"
"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU26N03L | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQU2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD26N03LTF | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD26N03LTM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD-2F | 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
| FQD-2I | 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: |
| FQD-2N | 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。