欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQD2N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 2 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 561K
代理商: FQD2N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料
PDF描述
FQU2N80 800V N-Channel MOSFET
FQD2N80 800V N-Channel MOSFET
FQU2N90 900V N-Channel MOSFET
FQD2N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V、漏電流為1.7A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQU2P25 250V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQD2N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQD2N60C_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQD2N60CTF 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N60CTF_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 600V 1.9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N60CTM 功能描述:MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 南川市| 玉门市| 湄潭县| 宜都市| 库伦旗| 民县| 荥经县| 阜康市| 宜川县| 新化县| 巢湖市| 明光市| 深水埗区| 康乐县| 彭山县| 永丰县| 宁河县| 泸水县| 万载县| 新丰县| 马公市| 故城县| 贵州省| 迁西县| 万载县| 通山县| 正阳县| 泊头市| 即墨市| 武平县| 栾川县| 郸城县| 赤壁市| 鄱阳县| 马鞍山市| 枞阳县| 北票市| 晋宁县| 龙里县| 勃利县| 左云县|