| 型號： |
FQD2N60CTM |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
1/9頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| 產(chǎn)品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 產(chǎn)品變化通告： |
Passivation Material Change 14/May/2008
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| 標準包裝： |
1 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
600V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.9A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
4.7 歐姆 @ 950mA，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
12nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
235pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
2.5W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應商設備封裝： |
TO-252-3
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| 包裝： |
標準包裝 |
| 其它名稱： |
FQD2N60CTMDKR
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