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參數(shù)資料
型號: FQD2N90
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V、漏電流為1.7A的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 1.7 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大小: 750K
代理商: FQD2N90
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相關PDF資料
PDF描述
FQU2P25 250V P-Channel MOSFET
FQD2P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU2P40 400V P-Channel MOSFET
FQD2P40 400V P-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU45N03L 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流 為30A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQD2N90_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQD2N90TF 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N90TM 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQD2P25TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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