欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQD2P40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V P-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的P溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 1.56 A, 400 V, 6.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 715K
代理商: FQD2P40
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料
PDF描述
FQU45N03L 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流 為30A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQU4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU4N20 200V N-Channel MOSFET
FQD4N20 200V N-Channel MOSFET
FQU5N20 200V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQD2P40_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET
FQD2P40TF 功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2P40TF_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 400V 1.56A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2P40TM 功能描述:MOSFET 400V P-ChannelQFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD30 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TOUCH FINDER DC PS
主站蜘蛛池模板: 虞城县| 沛县| 长宁县| 诸暨市| 南康市| 佛山市| 元阳县| 贵港市| 永德县| 柞水县| 浮梁县| 巴彦县| 岳阳县| 佳木斯市| 庆阳市| 鄂尔多斯市| 大理市| 体育| 黄冈市| 大竹县| 巴中市| 会宁县| 新巴尔虎右旗| 巴东县| 龙泉市| 石柱| 通辽市| 肃北| 大理市| 龙州县| 南昌县| 龙胜| 桐梓县| 莲花县| 彰化市| 炉霍县| 沈丘县| 青河县| 新余市| 天水市| 新河县|