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參數資料
| 型號： | FQD4N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 3.2 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 714K |
| 代理商： | FQD4N20L |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD4N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQD4N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU4N50 | 500V N-Channel MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD4N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
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