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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQD4N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 3 A, 250 V, 1.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大小： | 722K |
| 代理商： | FQD4N25 |
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
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0.20]
2.30TYP
[2.30
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0.20]
0
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0
0
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0
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0
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±
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0.50
±
0.10
0.50
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0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQD4N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU4N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD4P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU4P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FQD4N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N25TM_WS | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| FQD4N50_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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