- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄375882 > FQD4N50 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQD4N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 743K |
| 代理商： | FQD4N50 |
#01&$
"!#01&$
2$3"!#01&$
81
#.
81
41
009
0:
009
/
81
41
05
;05
44
41
)
8
81
.1
.1
411
44
411
44
41
411
44
.1
41
4
8
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU4N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD4P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU4P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQD4P40 | 400V P-Channel MOSFET |
| FQU4P40 | 400V P-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD4N50_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQD4N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N50TM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4N50TM_WS | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD4P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。