- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375892 > FQD5N20 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQD5N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3.8 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 695K |
| 代理商： | FQD5N20 |
>#
"C!>
)
H
!
"
#$%&
H
'(
')
'*
+$%
$+,%
-
.
%5,F50;5I,,;;,+;F;,5:F%J;F%:;@5FII,F;,5;%K
9,IF;,;559,+;,;05%D505KI5,;5: %5,F50;%I;%K
05%D505K%,55:IF;%9905%5,I;%K9,I,5,I5;,5D;F;,;5L
;5F;,;5+;K%K05;;I;,59%;,5:F,F;,5:FF;,
%5,F50 9,I %,; %IF,5E; , I; % ,55%0 9; 5 05; I99,
;+5; , K; @5FI F; ;M9,; @,5; %99,+%0 %5,F50 ;5I,
5;,%5%0
%N
. 0!!
13 "
1"33
! " ""C
O
) %
!
"C
!!
"
!"#
$#$
"
%!5
!5
!
9
9
""
!>
!
5
9
!>
!
"
59
""
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU5N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為3.5A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD5N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD5N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQU5P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD5N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD5N20L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD5N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch LL QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。