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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQD5N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3.8 A, 200 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 529K |
| 代理商： | FQD5N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU5N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD5N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU5N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD5N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU5N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD5N20L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD5N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch LL QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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