- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375893 > FQD7N10L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100V LOGIC N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQD7N10L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.8 A, 100 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | FQD7N10L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU7N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD7N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU8N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD7N10L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD7N10LTF | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N10LTM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N10TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。