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參數資料
型號: FQD7N20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 5.3 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 702K
代理商: FQD7N20
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相關PDF資料
PDF描述
FQU8N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQD8N25 250V N-Channel MOSFET
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FQU9N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQD7N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Logic Level QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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