- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375883 > FQD7P06 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQD7P06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 5.4 A, 60 V, 0.451 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | FQD7P06 |
F
Rev. A, September 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
DS
V
GS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
-10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7P06 | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQU7P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD8P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQD9N08 | 80V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD7P06TF | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7P06TM | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7P06TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 60V 5.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7P06TM_NB82050 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD7P06TMNB82050 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。