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參數(shù)資料
型號: FQD9N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 7 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 764K
代理商: FQD9N15
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為7.4A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQD9N25 250V N-Channel MOSFET
FR-159 FAILURE REPORT
FR01010EPL A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS
FR01020EPL A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD9N15TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK
FQD9N25TF 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25TM_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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