型號: | FQI10N20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | CAP 4700PF 50V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
中文描述: | 10 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
封裝: | I2PAK-3 |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 794K |
代理商: | FQI10N20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQB11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
FQI11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
FQB12N60C | 600V N-Channel MOSFET |
FQB13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQB13N06 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FQI10N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
FQI10N20CTU | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQI10N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQI10N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQI10N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |