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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQI12N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 12.1 A, 500 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | FQI12N50 |
Rev. A, May 2002
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQI12P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI12P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI13N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI12N50TU | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FQI12N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQI12N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQI12N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI12N60TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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