- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375884 > FQI12N60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 600V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQI12N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 10.5 A, 600 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | FQI12N60 |
Rev. A, May 2002
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
2
4
6
8
10
12
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
0
10
1
10
0
10
1
※
Notes :
μ
s Pulse Test
1. 250
C
= 25
℃
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
V
DS
= 100V
※
Note : I
D
= 12.1 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI12P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI12P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI13N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI12N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQI12N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI12N60TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI12P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQI12P10TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。