- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375884 > FQI13N06L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI13N06L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 13.6 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 602K |
| 代理商： | FQI13N06L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI13N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQI14N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQB14N15 | 150V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI13N06LTU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI13N06TU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI13N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQI13N10L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI13N10LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。