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參數(shù)資料
型號(hào)： FQI13N10
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 12.8 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 617K
代理商： FQI13N10
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI14N15 150V N-Channel MOSFET
FQB14N15 150V N-Channel MOSFET
FQB14N30 300V N-Channel MOSFET
FQI14N30 300V N-Channel MOSFET
FQI16N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI13N10L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI13N10LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI13N10TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI13N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQI13N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
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