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參數(shù)資料
型號: FQI19N10L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 19 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 609K
代理商: FQI19N10L
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
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0.20
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0.15
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2.54 TYP
2.54 TYP
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–0.05
D
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQI19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQB19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQI1N60 600V N-Channel MOSFET
FQB1N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI19N10LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N10TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-CHANNEL MOSFET
FQI19N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQI19N20CTU 功能描述:MOSFET N-CH/200V/19A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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