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參數(shù)資料
型號(hào): FQI19N20CTU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 19A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫歐 @ 9.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V
功率 - 最大: 3.13W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件
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