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參數資料
型號: FQI19N20TU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 4/8頁
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描述: MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
標準包裝: 1,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 19.4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 9.7A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
功率 - 最大: 3.13W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝: I2PAK
包裝: 管件
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