- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371743 > FQI22N30 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI22N30 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 21 A, 300 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 773K |
| 代理商： | FQI22N30 |
QFET
! "
# !
! !
$ !
% &'()**+,
% 01234
% 012*4
%
% '**5!
% 6!!$"
-* '.
/+
-'*+
! "
!
!
!
"
"
+
+
)**
+
6
1
-&784
&'
(
1
-'**84
') )
(
6
9
:2
±
)*
(
+
;+
+
<
9(!<
'***
=
6
(!
&'
(
<
,!(!<
'3
=
!$
9>,!!$
91
2 7
+$
9
-&784
) ')
@
91
-&784
'3*
@
"!&78
' )7
@$8
,
77A'7*
8
B
'$: 7
)**
8
,
θ
,
θ
,
θ
,=
* 32
8
@
,=("
2*
8
@
,=("
.& 7
8
@
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
| FQI30N06L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
| FQI33N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262AA |
| FQB33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI22N30TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI22P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQI24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI26N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
| FQI26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。