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參數資料
型號: FQI2N30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.1 A, 300 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 746K
代理商: FQI2N30
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相關PDF資料
PDF描述
FQB2N30 300V N-Channel MOSFET
FQI2N50 500V N-Channel MOSFET
FQB2N50 500V N-Channel MOSFET
FQI2N60 600V N-Channel MOSFET
FQB2N60 600V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQI2N30TU 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI2N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQI2N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI2N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQI2N80TU 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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