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參數(shù)資料
型號: FQI2N50
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.1 A, 500 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 732K
代理商: FQI2N50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB2N50 500V N-Channel MOSFET
FQI2N60 600V N-Channel MOSFET
FQB2N60 600V N-Channel MOSFET
FQI2N80 800V N-Channel MOSFET
FQB2N80 800V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
FQI2N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI2N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQI2N80TU 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI2N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQI2N90TU 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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