- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375884 > FQI2N90 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 900V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI2N90 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.2 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 759K |
| 代理商： | FQI2N90 |
QFET
! "
!
!
!
"
"
! "
# !
! !
$ % %&'(()*
$ /0.%1
$ /02 21
$
$ .((3!
$ 4!!5"
+, %
-)
+.()
)
)
'((
)
4
0
+%261
% %
&
0
+.((61
. 7'
&
4
8
9 9
±
7(
&
)
:)
)
;
8&!;
.,(
<
4
&!
% %
&
;
*!&!;
9 2
<
!5
8=*!!5
80
> (
)
8
+%261
7 .7
@
80
+%261
92
@
"!%26
( A9
@56
*
22B.2(
6
C
.59 2
7((
6
*
θ
*
θ
*
θ
*<
. >,
6
@
*<&"
>(
6
@
*<&"
A% 2
6
@
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQI2NA90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQB2NA90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQI2P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQB2P25 | 250V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI2N90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI2NA90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQI2NA90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI2P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQI2P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。