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參數資料
| 型號： | FQI30N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 600K |
| 代理商： | FQI30N06 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB30N06 | 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI32N12V2 | 120V N-Channel MOSFET |
| FQB32N12V2 | 120V N-Channel MOSFET |
| FQI32N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQB32N20C | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI30N06L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
| FQI30N06LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N12V2 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET |
| FQI32N12V2TU | 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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