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參數資料
型號: FQI50N06L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述: 52.4 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝: ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 648K
代理商: FQI50N06L
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
0
5
10
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
D
= 50A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
175
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
I
D
,
0
50
100
150
200
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
175
25
-55
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
GS
V
8.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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