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參數(shù)資料
型號: FQI5N50CTU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
產(chǎn)品變化通告: Passivation Material Change 14/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.4 歐姆 @ 2.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V
功率 - 最大: 73W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件
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