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參數(shù)資料
型號: FQI5N60CTU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Design/Process Change Notification 26/June/2007
標準包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 歐姆 @ 2.25A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
功率 - 最大: 3.13W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件
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